近日,京东方正式宣布,京东方已在氧化物半导体显示技术领域取得重要突破,攻克了铜(CU)易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题。
京东方在业内率先实现了铜互连堆叠结构的量产,及高刷新率、高分辨率、低功耗氧化物显示技术集成,打破了国外垄断,在行业内持续推出低功耗、超窄边、500HZ+电竞显示屏、超大尺寸 8K OXIDE 120HZ、可变频刷新率显示等一系列高端技术和产品。
据了解,京东方通过设计独有的铜互连叠层布线氧化物新型堆叠结构,攻克了CU易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题。掌握了自主高量产性的CU缓冲层技术,在业内率先实现铜互连堆叠结构的氧化物量产,并在京东方合肥、重庆、南京、成都等六条量产线实现规模化量产。
并且在技术上,京东方率先提出氮氧平衡理论和界面修复理论,实现了氧化物特性和良率可控。通过氧化物器件中的氮氧缺陷(DNO)控制和有源层界面刻蚀修复技术,解决了由于沟道界面氧空位(VO)缺陷和掺杂缺陷引起的VTH负偏问题,亮点不良发生率大幅降低。
并且本次京东方还展示了拥有全球最高刷新率显示的27英寸氧化物FHD 500 HZ+显示屏。
官方表示,京东方创造性研发出铜扩散阻挡技术,提出独有的氮氧平衡理论、界面修复理论,同时产学研联合,在材料、器件结构和原理上均实现了突破,解决了氧化物半导体显示技术的量产难题,在国内率先实现量产。
此外京东方提出了栅极驱动电路集成模型,首次使用直流去噪模式,功耗降低15% ,信赖性提升400%,并引入整体复位信号,解决了GOA末行失效问题。在量产产品中首次提出并应用TFT散热设计,GOA寿命提升一倍以上,实现了全尺寸氧化物产品覆盖。
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